Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STF24NM65N - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STF24NM65N

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 160

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 650

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 19

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STF24NM65N (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.19

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220FP

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STF25NM60ND , STF28NM50N , STF2HNK60Z , STF30NM50N , STF32N65M5 , STF40NF06 , STFI13NM60N , STFW6N120K3 , STI26NM60N , STI42N65M5 , STL23N85K5 , STL25N15F4 , STL32N55M5 , STL50N3LLH5 , STL80N75F6 , STL9N3LLH5 , STP11N52K3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved