Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STF12NM50ND - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STF12NM50ND

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 25

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 11

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STF12NM50ND (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.38

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220FP

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STF13N95K3 , STF13NM60N , STF14NM50N , STF16N65M5 , STF16NF25 , STF20N95K5 , STF3NK80Z , STF5N52K3 , STF9NK60ZD , STFI20NK50Z , STI24NM65N , STI30N65M5 , STI35N65M5 , STI6N62K3 , STL160N3LLH6 , STL18N55M5 , STL80N4LLF3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved