Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STD65N3LLH5 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STD65N3LLH5

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 50

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 65

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STD65N3LLH5 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0069

WYTWÓRCA:

CIAŁO: DPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STD65N55F3 , STD65NF06 , STD6N52K3 , STD6NK50Z , STD70N10F4 , STD7NM60N , STF10NK50Z , STF11N65K3 , STF17NF25 , STF20N95K5 , STF34NM60N , STF3N62K3 , STF3NK80Z , STF4N52K3 , STF7N52K3 , STF8N65M5 , STI13NM60N ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved