Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STD4NK50Z-1 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STD4NK50Z-1

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 45

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STD4NK50Z-1 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 2.7

WYTWÓRCA:

CIAŁO: IPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STD4NK50ZD , STD4NK60Z , STD4NK60Z-1 , STD50N03L , STD50N03L-1 , STD5NK40Z , STD7NK40Z , STD86N3LH5 , STE53NC50 , STF10NM50N , STF17N62K3 , STF18NM80 , STF19NM50N , STF20NK50Z , STF28NM50N , STF30N65M5 , STF7N52DK3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved