Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

APT10050JVFR - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: APT10050JVFR

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 450

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 1000

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 19

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora APT10050JVFR (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 13

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 595

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.5

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT227

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: APT10050JVR , APT10050LVR , APT10057WVR , APT10088HVR , APT10M07JVR , APT10M25BVR , APT30M40JVR , APT30M85BVR , APT5010B2VR , APT5012WVR , APT50M50JVFR , APT50M85JVFR , APT6013JVR , APT6015LVR , APT6045BVR , APT60M75PVR , BF1100WR ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved