Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STD155N3H6 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STD155N3H6

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 70

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 80

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STD155N3H6 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.003

WYTWÓRCA:

CIAŁO: DPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STD155N3LH6 , STD16N65M5 , STD16NF06 , STD17NF25 , STD18N55M5 , STD20NF20 , STD3NK80Z , STD40N2LH5 , STD5N20 , STD5NK40Z , STD70N2LH5 , STD7N52DK3 , STD7NK40Z , STD7NS20 , STD9NM50N , STE30NK90Z , STF13NK50Z ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved