Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STB80PF55 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STB80PF55

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 300

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 55

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 80

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STB80PF55 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.018

WYTWÓRCA:

CIAŁO: D2PAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STB85NF3LL , STB8N65M5 , STB8NM60 , STB9NK60Z , STB9NK60ZD , STD10NM65N , STD20NF10 , STD2HNK60Z , STD3NK100Z , STD3NK80Z-1 , STD55N4F5 , STD5N52U , STD5N95K3 , STD5NK60Z , STD65NF06 , STD6NF10 , STD95N4LF3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved