Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STB55NF06 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STB55NF06

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 110

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 50

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STB55NF06 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.022

WYTWÓRCA:

CIAŁO: D2PAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STB55NF06L , STB5N62K3 , STB5NK50Z , STB60NF10 , STB6N52K3 , STB75NF20 , STD10NM60ND , STD120N4LF6 , STD18NF25 , STD20NF20 , STD3N62K3 , STD3NK60Z-1 , STD3NK80Z , STD3NM60-1 , STD4NK60Z , STD4NS25 , STD65N55LF3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved