Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STB25NM50N - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STB25NM50N

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 160

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 22

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STB25NM50N (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.14

WYTWÓRCA:

CIAŁO: D2PAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STB25NM60ND , STB270N4F3 , STB28NM50N , STB30NF20 , STB30NM50N , STB3N62K3 , STB70NFS03L , STB7NK80Z , STB9NK90Z , STD10NM65N , STD18NF03L , STD20NF06 , STD20NF10 , STD26NF10 , STD30PF03L , STD35NF3LL , STD4NK50ZD-1 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved