Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STB155N3LH6 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STB155N3LH6

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 110

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 80

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STB155N3LH6 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.003

WYTWÓRCA:

CIAŁO: D2PAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STB15NM60ND , STB160NF3LL , STB16N65M5 , STB185N55F3 , STB18N55M5 , STB200NF03 , STB36NM60N , STB40NS15 , STB6NK60Z-1 , STB75NF20 , STB9NK70Z-1 , STD10NM50N , STD10NM60ND , STD11NM60ND , STD16N65M5 , STD17NF03L , STD30NF06L ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved