Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SI2304DS - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SI2304DS

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.83

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 1.7

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SI2304DS (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.117

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO236AB

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRF630FP , STB100NF03L-03 , STB100NF04 , STB11NK50Z , STB11NM60 , STB12NM50 , STB200N6F3 , STB21NK50Z , STB32N65M5 , STB3N62K3 , STB6NK60Z , STB70NF03L-1 , STB70NFS03L , STB76NF75 , STB8N65M5 , STB9NK50Z , STD15NF10 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved