Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

PSMN5R8-40YS - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: PSMN5R8-40YS

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 89

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 90

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora PSMN5R8-40YS (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0057

WYTWÓRCA:

CIAŁO: LFPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: PSMN5R9-30YL , PSMN6R0-30YL , PSMN6R0-30YLB , PSMN7R0-100PS , PSMN7R0-100XS , PSMN8R0-30YLC , STB12NK80Z , STB140NF55 , STB18NM60N , STB200NF03 , STB30NM60ND , STB35NF10 , STB36NM60N , STB40NF10L , STB5N62K3 , STB60NF06L , STB85NF55 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved