Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

PSMN3R0-60PS - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: PSMN3R0-60PS

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 306

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 100

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora PSMN3R0-60PS (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.003

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220AB

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: PSMN3R2-25YLC , PSMN3R3-40YS , PSMN3R4-30PL , PSMN3R5-80PS , PSMN3R7-25YLC , PSMN4R3-80ES , PSMN8R0-30YL , PSMN8R7-80PS , STB11NM80 , STB12NM50 , STB18NF25 , STB19NF20 , STB200N6F3 , STB20NM60D , STB270N4F3 , STB30NF10 , STB5N52K3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved