Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

PSMN1R1-30PL - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: PSMN1R1-30PL

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 338

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 120

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora PSMN1R1-30PL (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0013

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220AB

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: PSMN1R2-25YL , PSMN1R2-30YLC , PSMN1R3-30YL , PSMN1R5-40ES , PSMN1R5-40PS , PSMN2R0-30YL , PSMN4R3-30PL , PSMN4R6-60PS , PSMN7R0-30YLC , PSMN8R0-30YLC , STB11NM60FD , STB120NF10 , STB12NK80Z , STB13NK60ZT4 , STB160NF3LL , STB180N55F3 , STB26NM60N ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved