Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

APT1001R6BN - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: APT1001R6BN

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 240

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 1000

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 8

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora APT1001R6BN (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 13

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 230

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.6

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: APT1001RAN , APT1001RBVR , APT1001RSVR , APT10026JN , APT1002R4AN , APT1003R5CN , APT10M25BVFR , APT12080JVR , APT20M45SVFR , APT30M40LVFR , APT5010B2VFR , APT5010JVR , APT5010LVR , APT5015BVR , APT5025BN , APT5030AVR , APT6040BN ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved