Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

PSMN023-80LS - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: PSMN023-80LS

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 65

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 80

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 34

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora PSMN023-80LS (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.023

WYTWÓRCA:

CIAŁO: QFN3333

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: PSMN025-100D , PSMN027-100PS , PSMN028-100YS , PSMN034-100PS , PSMN035-100LS , PSMN057-200P , PSMN2R0-30PL , PSMN2R2-40PS , PSMN3R8-30LL , PSMN4R3-80ES , PSMN7R0-30YL , PSMN7R5-25YLC , PSMN8R0-30YL , PSMN8R3-40YS , STB100NF03L-03 , STB11NK40Z , STB160N75F3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved