Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

PSMN005-75B - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: PSMN005-75B

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 230

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 75

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 75

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora PSMN005-75B (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.005

WYTWÓRCA:

CIAŁO: D2PAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: PSMN006-20K , PSMN009-100B , PSMN009-100P , PSMN012-60YS , PSMN012-80PS , PSMN014-60LS , PSMN057-200B , PSMN070-200P , PSMN1R7-25YLC , PSMN2R0-30YL , PSMN3R7-30YLC , PSMN4R0-40YS , PSMN4R3-30PL , PSMN4R5-30YLC , PSMN6R0-30YL , PSMN7R0-100ES , IRF630M ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved