Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

PMR370XN - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: PMR370XN

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.53

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.84

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora PMR370XN (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.44

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SC75

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: PMR400UN , PMT21EN , PMT29EN , PMV20XN , PMV213SN , PMV40UN , PSMN014-40YS , PSMN016-100PS , PSMN035-150P , PSMN057-200P , PSMN1R6-30PL , PSMN1R8-30PL , PSMN2R0-30PL , PSMN2R2-25YLC , PSMN3R3-40YS , PSMN3R5-80ES , PSMN6R0-25YLB ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved