Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

PMG85XP - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: PMG85XP

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.375

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 2

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora PMG85XP (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.115

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TSSOP6

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: PMGD280UN , PMGD370XN , PMGD400UN , PMK35EP , PMK50XP , PMN27UP , PMV37EN , PMV65XP , PSMN013-100ES , PSMN014-60LS , PSMN035-150B , PSMN045-80YS , PSMN057-200B , PSMN069-100YS , PSMN1R2-30YLC , PSMN1R5-30YLC , PSMN3R2-30YLC ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved