Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

PHB27NQ10T - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: PHB27NQ10T

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 107

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 28

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora PHB27NQ10T (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.05

WYTWÓRCA:

CIAŁO: D2PAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: PHB29N08T , PHB33NQ20T , PHB45NQ10T , PHC21025 , PHC2300 , PHK12NQ03LT , PHT6N06T , PMF280UN , PML340SN , PMN27UP , PMV22EN , PMV31XN , PMV37EN , PMV56XN , PSMN009-100B , PSMN012-100YS , PSMN026-80YS ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved