Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BUK9Y14-40B - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BUK9Y14-40B

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 85

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 56

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BUK9Y14-40B (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.011

WYTWÓRCA:

CIAŁO: LFPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BUK9Y19-55B , BUK9Y22-30B , BUK9Y27-40B , BUK9Y53-100B , BUK9Y58-75B , NX3008NBKW , PHK04P02T , PHK31NQ03LT , PHP45NQ11T , PHT6NQ10T , PML260SN , PMN25EN , PMN27UN , PMN34UN , PMT21EN , PMV16UN , PSMN008-75B ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved