Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BUK9907-55ATE - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BUK9907-55ATE

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 272

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 55

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 75

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BUK9907-55ATE (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0062

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO2205

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BUK9C07-65BIT , BUK9C10-65BIT , BUK9E04-30B , BUK9E08-55B , BUK9E3R2-40B , BUK9MJT-55PRF , NX3008NBKV , NX3008PBKW , PHD20N06T , PHK12NQ03LT , PHP45NQ10T , PHT4NQ10LT , PHT6N06T , PMDPB65UP , PMGD370XN , PMK30EP , PMR780SN ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved