Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BUK9516-75B - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BUK9516-75B

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 157

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 75

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 67

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BUK9516-75B (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.014

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220AB

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BUK95180-100A , BUK9520-100A , BUK9520-100B , BUK9529-100B , BUK952R8-30B , BUK9604-40A , BUK9635-100A , BUK9660-100A , BUK9MFF-65PSS , BUK9MJT-55PRF , NX2301P , NX3008NBKS , NX3008NBKV , NX3008PBKT , PHB33NQ20T , PHB66NQ03LT , PHP20NQ20T ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved